ਮੁੱਖ ਤਕਨੀਕੀ ਮਾਪਦੰਡ
| ਇਕਾਈ | ਗੁਣ | |
| ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ (℃) | -40(-25)℃~+85℃ | |
| ਵੋਲਟੇਜ ਰੇਂਜ(V) | 200 〜500V.DC | |
| ਸਮਰੱਥਾ ਰੇਂਜ (uF) | 1000 〜22000uF ( 20℃ 120Hz ) | |
| ਸਮਰੱਥਾ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ | ±20% | |
| ਲੀਕੇਜ ਮੌਜੂਦਾ (mA) | <0.94mA ਜਾਂ 0.01 cv, 20℃ 'ਤੇ 5 ਮਿੰਟ ਦਾ ਟੈਸਟ | |
| ਅਧਿਕਤਮ DF(20℃) | 0.18(20℃, 120HZ) | |
| ਤਾਪਮਾਨ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ (120Hz) | 200-450 C(-25℃)/C(+20℃)≥0.7 ； 500 C(-40℃)/C(+20℃)≥0.6 | |
| ਇਨਸੂਲੇਟਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ | ਸਾਰੇ ਟਰਮੀਨਲਾਂ ਅਤੇ ਸਨੈਪ ਰਿੰਗ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ DC 500V ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਟੈਸਟਰ ਨੂੰ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਸਲੀਵ = 100mΩ ਨਾਲ ਲਾਗੂ ਕਰਕੇ ਮਾਪਿਆ ਗਿਆ ਮੁੱਲ। | |
| ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ | ਸਾਰੇ ਟਰਮੀਨਲਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ AC 2000V ਲਗਾਓ ਅਤੇ 1 ਮਿੰਟ ਲਈ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਸਲੀਵ ਨਾਲ ਸਨੈਪ ਰਿੰਗ ਲਗਾਓ ਅਤੇ ਕੋਈ ਅਸਧਾਰਨਤਾ ਦਿਖਾਈ ਨਹੀਂ ਦਿੰਦੀ। | |
| ਧੀਰਜ | 85 ℃ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦੇ ਅਧੀਨ ਦਰਜਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਵੋਲਟੇਜ ਤੋਂ ਵੱਧ ਨਾ ਹੋਣ ਵਾਲੀ ਵੋਲਟੇਜ ਵਾਲੇ ਕੈਪੀਸੀਟਰ 'ਤੇ ਰੇਟਡ ਰਿਪਲ ਕਰੰਟ ਲਾਗੂ ਕਰੋ ਅਤੇ 6000 ਘੰਟੇ ਲਈ ਰੇਟ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ ਲਾਗੂ ਕਰੋ, ਫਿਰ 20 ℃ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਮੁੜ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰੋ ਅਤੇ ਟੈਸਟ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨੇ ਚਾਹੀਦੇ ਹਨ। | |
| ਸਮਰੱਥਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਦਰ (△C ) | ≤ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਮੁੱਲ 土20% | |
| DF (tgδ) | ≤ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਨਿਰਧਾਰਨ ਮੁੱਲ ਦਾ 200% | |
| ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ (LC) | ≤ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਨਿਰਧਾਰਨ ਮੁੱਲ | |
| ਸ਼ੈਲਫ ਲਾਈਫ | ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਨੂੰ 85 ℃ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ fbr 1000 ਘੰਟੇ ਰੱਖਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਫਿਰ 20 ℃ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਟੈਸਟ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਟੈਸਟ ਦਾ ਨਤੀਜਾ ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। | |
| ਸਮਰੱਥਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਦਰ (△C ) | ≤ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਮੁੱਲ ±20% | |
| DF (tgδ) | ≤ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਨਿਰਧਾਰਨ ਮੁੱਲ ਦਾ 200% | |
| ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ (LC) | ≤ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਨਿਰਧਾਰਨ ਮੁੱਲ | |
| (ਵੋਲਟੇਜ ਪ੍ਰੀ-ਟਰੀਟਮੈਂਟ ਟੈਸਟ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਕੀਤੀ ਜਾਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ: 1 ਘੰਟੇ ਲਈ ਲਗਭਗ 1000Ω ਦੇ ਰੇਜ਼ਿਸਟਰ ਦੁਆਰਾ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੇ ਦੋਵਾਂ ਸਿਰਿਆਂ 'ਤੇ ਰੇਟਡ ਵੋਲਟੇਜ ਲਗਾਓ, ਫਿਰ ਪ੍ਰੀ-ਟਰੀਟਮੈਂਟ ਤੋਂ ਬਾਅਦ 1Ω/V ਰੇਜ਼ਿਸਟਰ ਦੁਆਰਾ ਬਿਜਲੀ ਡਿਸਚਾਰਜ ਕਰੋ। ਕੁੱਲ ਡਿਸਚਾਰਜਿੰਗ ਤੋਂ 24 ਘੰਟੇ ਬਾਅਦ ਆਮ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਹੇਠਾਂ ਰੱਖੋ, ਫਿਰ ਸ਼ੁਰੂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਟੈਸਟ।) | ||
ਉਤਪਾਦ ਅਯਾਮੀ ਡਰਾਇੰਗ
| D (mm) | 51.00 | 64.00 | 77.00 | 90.00 | 101.00 |
| P (mm) | 22.00 | 28.30 | 32.00 | 32.00 | 41.00 |
| ਪੇਚ | M5 | M5 | M5 | M6 | M8 |
| ਟਰਮੀਨਲ ਵਿਆਸ (ਮਿਲੀਮੀਟਰ) | 13.00 | 13.00 | 13.00 | 17.00 | 17.00 |
| ਟੋਰਸ਼ਨ (Nm) | 2.20 | 2.20 | 2.20 | 3.50 | 7.50 |
Y-ਆਕਾਰ ਦੀ ਸਨੈਪ ਰਿੰਗ
ਟੇਲ ਕਾਲਮ ਅਸੈਂਬਲੀ ਅਤੇ ਮਾਪ
| ਵਿਆਸ (ਮਿਲੀਮੀਟਰ) | A (mm) | B (mm) | a (mm) | b (mm) | h (mm) |
| 51.00 | 31.80 | 36.50 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 64.00 | 38.10 | 42.50 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 77.00 | 44.50 | 49.20 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 90.00 | 50.80 | 55.60 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 101.00 | 56.50 | 63.40 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
ਰਿਪਲ ਮੌਜੂਦਾ ਸੁਧਾਰ ਪੈਰਾਮੀਟਰ
ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਮੁਆਵਜ਼ਾ ਗੁਣਾਂਕ
| ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ | 50Hz | 120Hz | 300Hz | 1kHz | ≥10kHz |
| ਸੁਧਾਰ ਕਾਰਕ | 0.7 | 1 | 1.1 | 1.3 | 1.4 |
ਤਾਪਮਾਨ ਮੁਆਵਜ਼ਾ ਗੁਣਾਂਕ
| ਤਾਪਮਾਨ (℃) | 40℃ | 60℃ | 85℃ |
| ਗੁਣਾਂਕ | 1. 89 | 1. 67 | 1 |
ਬੋਲਟ-ਕਿਸਮ ਦੇ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਇਹ ਵੀ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ capacitors ਹਨ.ਹਾਰਨ-ਕਿਸਮ ਦੇ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ, ਉਹਨਾਂ ਦਾ ਢਾਂਚਾਗਤ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵਧੇਰੇ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਹੈ, ਪਰ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਦਾ ਮੁੱਲ ਵੱਡਾ ਹੈ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਸ਼ਕਤੀ ਵੱਧ ਹੈ।ਹੇਠਾਂ ਸਟੱਡ ਕਿਸਮ ਦੇ ਐਲੂਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਕਾਰਜ ਹਨ:
1. ਮਕੈਨੀਕਲ ਉਪਕਰਨ: ਮਕੈਨੀਕਲ ਉਪਕਰਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਬਿਜਲੀ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਸਟੋਰ ਕਰਨ ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਫਿਲਟਰ ਕਰਨ ਲਈ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਦੀ ਉੱਚ ਸਮਰੱਥਾ ਮੁੱਲ ਅਤੇ ਸ਼ਕਤੀਸਟੱਡ ਕਿਸਮ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਮਕੈਨੀਕਲ ਉਪਕਰਨਾਂ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਬਣਾਉਣਾ, ਅਤੇ ਊਰਜਾ ਸਟੋਰ ਕਰਨ, ਮੋਟਰਾਂ ਨੂੰ ਚਾਲੂ ਕਰਨ, ਮੌਜੂਦਾ ਫਿਲਟਰ ਕਰਨ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਆਦਿ ਨੂੰ ਖਤਮ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
2. ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ: ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਵਿੱਚ, ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ ਅਤੇ ਫਿਲਟਰਿੰਗ ਲਈ ਕੈਪੇਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਦੀ ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ, ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀਸਟੱਡ-ਕਿਸਮ ਦੇ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਬਣਾਓ, ਜਿੱਥੇ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਊਰਜਾ ਸਟੋਰ ਕਰਨ, ਫਿਲਟਰ ਕਰਨ, ਇੰਜਣ ਚਾਲੂ ਕਰਨ, ਮੋਟਰਾਂ ਅਤੇ ਲਾਈਟਾਂ ਨੂੰ ਕੰਟਰੋਲ ਕਰਨ ਆਦਿ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
3. ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਕਨਵਰਟਰ: ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਕਨਵਰਟਰਾਂ ਵਿੱਚ, ਡੀਸੀ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਅਤੇ ਕੰਟਰੋਲ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਨਿਰਵਿਘਨ ਕਰਨ ਲਈ ਕੈਪੇਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਸਟੱਡ-ਕਿਸਮ ਦੇ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਘੱਟ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ, ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਅਤੇ ਲੰਬੀ-ਜੀਵਨ ਵਾਲੇ ਇਨਵਰਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਲਈ ਢੁਕਵੇਂ ਹਨ, ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਨਿਰਵਿਘਨ ਕਰਨ, ਵਰਤਮਾਨ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਅਤੇ ਪਾਵਰ ਫੈਕਟਰ, ਆਦਿ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
4. ਸੰਚਾਰ ਉਪਕਰਨ: ਸੰਚਾਰ ਉਪਕਰਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਸਿਗਨਲਾਂ ਨੂੰ ਮੋਡਿਊਲੇਟ ਕਰਨ, ਔਸਿਲੇਸ਼ਨਾਂ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਅਤੇ ਸਿਗਨਲਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਕਰਨ ਲਈ ਕੈਪੇਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਦਾ ਉੱਚ ਸਮਰੱਥਾ ਮੁੱਲ ਅਤੇ ਸਥਿਰਤਾਸਟੱਡ-ਕਿਸਮ ਦੇ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਸੰਚਾਰ ਉਪਕਰਨਾਂ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਬਣਾਓ, ਜਿੱਥੇ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਸਿਗਨਲਾਂ ਨੂੰ ਮੋਡਿਊਲੇਟ ਕਰਨ, ਓਸੀਲੇਸ਼ਨ ਪੈਦਾ ਕਰਨ, ਅਤੇ ਸਿਗਨਲਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਆਦਿ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।
5. ਪਾਵਰ ਪ੍ਰਬੰਧਨ: ਪਾਵਰ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਵਿੱਚ, ਕੈਪੇਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਫਿਲਟਰ ਕਰਨ, ਸਟੋਰ ਕਰਨ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਕੰਟਰੋਲ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਸਟੱਡ-ਕਿਸਮ ਦੇ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਨੂੰ ਫਿਲਟਰ ਕਰਨ, ਊਰਜਾ ਸਟੋਰ ਕਰਨ, ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਉੱਚ-ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਉਂਦਾ ਹੈ।
6. ਉੱਚ-ਅੰਤ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣ: ਉੱਚ-ਅੰਤ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ, ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਸਟੱਡ-ਕਿਸਮ ਦੇ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ ਕੈਪਸੀਟਰ ਹਨ ਜੋ ਉੱਚ-ਅੰਤ ਦੇ ਆਡੀਓ, ਵੀਡੀਓ, ਮੈਡੀਕਲ ਅਤੇ ਐਵੀਓਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।
ਸੰਪੇਕਸ਼ਤ,ਸਟੱਡ ਕਿਸਮ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਵੱਖ-ਵੱਖ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਯੰਤਰਾਂ ਅਤੇ ਸਰਕਟਾਂ ਲਈ ਢੁਕਵੇਂ ਹਨ, ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦਾ ਉੱਚ ਸਮਰੱਥਾ ਮੁੱਲ, ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਅਤੇ ਸਥਿਰਤਾ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਲਾਜ਼ਮੀ ਹਿੱਸਾ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।
